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意(yi)法半導體(ti)新推出的SLLIMM?-nano智能功(gong)率(lv)模塊(IPM)引入新的封裝類型，并集成更多元器件，加(jia)快(kuai)300W以下低功(gong)率(lv)電機驅動(dong)器研(yan)發，簡化組裝過程。

3A和(he)5A 模塊(kuai)內置當前*********的600V超結MOSFET，最大限(xian)度(du)提升(sheng)空(kong)(kong)氣壓縮機(ji)、風扇、泵等設備的能效。各種直列(lie)引腳(jiao)(jiao)或(huo)Z形引腳(jiao)(jiao)封裝有助于優化空(kong)(kong)間占用率，確保(bao)所需(xu)的引腳(jiao)(jiao)間距。內部開(kai)孔選項讓低價散(san)熱器(qi)的安裝更(geng)容易。此外(wai)，發(fa)射(she)極(ji)開(kai)路輸出分開(kai)設計可簡化PCB板單路或(huo)三路Shunt (分流(liu)電阻)電流(liu)監視走線(xian)。

每個(ge)IPM模塊都包(bao)(bao)含由六支MOSFET組成(cheng)的(de)三相半橋(qiao)和一(yi)個(ge)高壓柵驅(qu)動(dong)芯片。新增功能有助于簡(jian)(jian)化(hua)保(bao)護(hu)電路和防(fang)錯電路設計(ji)，包(bao)(bao)括一(yi)個(ge)用(yong)于檢測電流(liu)的(de)未使用(yong)的(de)運放、用(yong)于高速錯誤保(bao)護(hu)電路的(de)比較器和用(yong)于監視溫度的(de)可(ke)選(xuan)的(de)NTC (負溫度系(xi)數(shu))熱敏電阻，還集成(cheng)一(yi)個(ge)自舉二極(ji)管，以降低物料清單(BOM)成(cheng)本，簡(jian)(jian)化(hua)電路板布局設計(ji)。智能關斷電路可(ke)保(bao)護(hu)功率開關管，欠(qian)壓鎖保(bao)護(hu)(UVLO)預防(fang)低Vcc或(huo)Vboot電壓引起(qi)的(de)功能失效(xiao)。

超(chao)結MOSFET在25°C時(shi)通(tong)態(tai)(tai)電(dian)(dian)阻只有1.0?，最大 1.6? ，低(di)(di)電(dian)(dian)容和(he)低(di)(di)柵電(dian)(dian)荷可最大限度降低(di)(di)通(tong)態(tai)(tai)損(sun)耗(hao)和(he)開(kai)關損(sun)耗(hao)，從而(er)提(ti)升(sheng)20kHz以(yi)下硬開(kai)關電(dian)(dian)路的能效，包括各種工業電(dian)(dian)機驅動器，準許低(di)(di)功率應(ying)用(yong)無需使用(yong)散熱器。此外，優(you)化(hua)的開(kai)關di/dt和(he)dV/dt上升(sheng)速率確保EMI干擾(rao)處于一(yi)個較低(di)(di)的級別(bie)，可以(yi)進一(yi)步(bu)簡化(hua)電(dian)(dian)路的設計布局(ju)。

新模(mo)塊的最高(gao)額定結溫是150°C，取得了UL 1557認證，電(dian)絕緣級別高(gao)達1500Vrms/min。