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意(yi)法(fa)半(ban)導體(ti)新推(tui)出的SLLIMM?-nano智(zhi)能(neng)功率模(mo)塊(IPM)引入新的封裝類型，并(bing)集成更多(duo)元(yuan)器件，加快300W以(yi)下低功率電機驅(qu)動(dong)器研發(fa)，簡化組裝過程。

3A和5A 模塊內置(zhi)當前*********的(de)(de)600V超結MOSFET，最大限度提升空(kong)氣壓縮機、風扇、泵(beng)等設備的(de)(de)能效。各(ge)種直(zhi)列引腳或Z形(xing)引腳封(feng)裝有助(zhu)于優化空(kong)間占用(yong)率，確保所需的(de)(de)引腳間距。內部開(kai)孔選(xuan)項讓(rang)低價散熱器的(de)(de)安裝更容易。此外，發射(she)極開(kai)路(lu)輸出分(fen)開(kai)設計可簡化PCB板(ban)單路(lu)或三(san)路(lu)Shunt (分(fen)流(liu)電阻(zu))電流(liu)監視(shi)走線。

每個IPM模塊都(dou)包含由六支MOSFET組成的(de)(de)三相半橋和一個高壓(ya)(ya)柵驅動芯片。新增(zeng)功(gong)能有助于簡化(hua)保(bao)護(hu)電(dian)路(lu)和防(fang)錯電(dian)路(lu)設(she)計(ji)，包括一個用于檢(jian)測電(dian)流的(de)(de)未(wei)使用的(de)(de)運放、用于高速錯誤保(bao)護(hu)電(dian)路(lu)的(de)(de)比較器(qi)和用于監視(shi)溫度的(de)(de)可選的(de)(de)NTC (負溫度系數(shu))熱敏電(dian)阻，還集成一個自舉(ju)二極管，以降低物料清單(BOM)成本，簡化(hua)電(dian)路(lu)板(ban)布局設(she)計(ji)。智能關(guan)(guan)斷電(dian)路(lu)可保(bao)護(hu)功(gong)率開關(guan)(guan)管，欠壓(ya)(ya)鎖保(bao)護(hu)(UVLO)預(yu)防(fang)低Vcc或Vboot電(dian)壓(ya)(ya)引起的(de)(de)功(gong)能失(shi)效。

超結MOSFET在25°C時(shi)通(tong)態電(dian)(dian)阻只有1.0?，最(zui)大 1.6? ，低電(dian)(dian)容和(he)(he)低柵(zha)電(dian)(dian)荷可最(zui)大限度(du)降低通(tong)態損(sun)耗(hao)和(he)(he)開關(guan)(guan)損(sun)耗(hao)，從(cong)而提(ti)升20kHz以下(xia)硬開關(guan)(guan)電(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)能(neng)效(xiao)，包括(kuo)各種工業電(dian)(dian)機(ji)驅動(dong)器，準許低功率應用(yong)無需使(shi)用(yong)散熱器。此外，優化(hua)(hua)的(de)(de)開關(guan)(guan)di/dt和(he)(he)dV/dt上升速(su)率確保(bao)EMI干擾處于一個較低的(de)(de)級(ji)別(bie)，可以進一步(bu)簡化(hua)(hua)電(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)設計(ji)布(bu)局。

新模塊的最高(gao)額(e)定結溫是150°C，取(qu)得了(le)UL 1557認證，電絕緣級別高(gao)達1500Vrms/min。