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意(yi)法半導體新推出(chu)的SLLIMM?-nano智能(neng)功(gong)率模(mo)塊(kuai)(IPM)引入新的封裝類型，并集成更(geng)多(duo)元器件，加快300W以下低功(gong)率電機驅動(dong)器研發，簡化組裝過程。

3A和5A 模塊內(nei)置當(dang)前*********的(de)(de)600V超結MOSFET，最大限度提升空氣壓縮機、風(feng)扇、泵(beng)等設備(bei)的(de)(de)能效。各種直(zhi)列引腳(jiao)或Z形引腳(jiao)封裝有助(zhu)于(yu)優化空間占用率，確(que)保所需的(de)(de)引腳(jiao)間距。內(nei)部(bu)開(kai)孔選項讓低(di)價散熱器的(de)(de)安裝更容易。此外(wai)，發射(she)極開(kai)路輸出分開(kai)設計可簡化PCB板單路或三路Shunt (分流電阻(zu))電流監視走線。

每個IPM模塊都包含由(you)六支MOSFET組成的三相半(ban)橋和(he)一(yi)(yi)個高(gao)壓(ya)柵驅動芯片。新(xin)增功(gong)能(neng)(neng)有助(zhu)于(yu)(yu)簡化保(bao)護電(dian)路(lu)和(he)防(fang)錯電(dian)路(lu)設(she)(she)計(ji)，包括一(yi)(yi)個用于(yu)(yu)檢測電(dian)流的未使(shi)用的運放(fang)、用于(yu)(yu)高(gao)速(su)錯誤(wu)保(bao)護電(dian)路(lu)的比較器和(he)用于(yu)(yu)監視溫度的可選的NTC (負溫度系數)熱(re)敏電(dian)阻(zu)，還集成一(yi)(yi)個自舉二極管，以降低物料清(qing)單(BOM)成本，簡化電(dian)路(lu)板(ban)布(bu)局設(she)(she)計(ji)。智能(neng)(neng)關斷電(dian)路(lu)可保(bao)護功(gong)率開關管，欠壓(ya)鎖保(bao)護(UVLO)預防(fang)低Vcc或Vboot電(dian)壓(ya)引起的功(gong)能(neng)(neng)失效。

超結(jie)MOSFET在25°C時通態電(dian)阻只有1.0?，最大 1.6? ，低電(dian)容和(he)低柵電(dian)荷可最大限(xian)度降低通態損(sun)(sun)耗和(he)開(kai)關損(sun)(sun)耗，從(cong)而提升(sheng)20kHz以下(xia)硬開(kai)關電(dian)路(lu)的(de)能效(xiao)，包(bao)括各種工業電(dian)機驅(qu)動器，準許低功率(lv)應用無需使(shi)用散(san)熱器。此外，優化(hua)的(de)開(kai)關di/dt和(he)dV/dt上(shang)升(sheng)速率(lv)確保EMI干擾處于一個較低的(de)級(ji)別，可以進一步簡化(hua)電(dian)路(lu)的(de)設(she)計布(bu)局。

新(xin)模(mo)塊(kuai)的最高(gao)額定結(jie)溫(wen)是(shi)150°C，取得了UL 1557認證(zheng)，電絕(jue)緣(yuan)級別(bie)高(gao)達1500Vrms/min。